उत्पाद फैक्टरी, आपूर्तिकर्ता - चीन उत्पाद निर्माता

IngaAs APD मॉड्यूल

यह पूर्व-प्रवर्धन सर्किट के साथ इंडियम गैलियम आर्सेनाइड हिमस्खलन फोटोडायोड मॉड्यूल है जो कमजोर वर्तमान सिग्नल को प्रवर्धित करने और फोटॉन-फोटोइलेक्ट्रिक-सिग्नल प्रवर्धन की रूपांतरण प्रक्रिया को प्राप्त करने के लिए वोल्टेज सिग्नल में परिवर्तित करने में सक्षम बनाता है।

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चार-चतुर्थांश APD

इसमें सी हिमस्खलन फोटोडायोड की चार समान इकाइयाँ होती हैं जो यूवी से लेकर एनआईआर तक उच्च संवेदनशीलता प्रदान करती हैं।शिखर प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य 980nm है।उत्तरदायित्व: 40 A/W 1064 nm पर।

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चार-चतुर्थांश APD मॉड्यूल

इसमें प्री-एम्पलीफिकेशन सर्किट के साथ हिमस्खलन फोटोडायोड की चार समान इकाइयाँ होती हैं जो कमजोर करंट सिग्नल को प्रवर्धित करने में सक्षम बनाती हैं और फोटॉन-फोटोइलेक्ट्रिक-सिग्नल प्रवर्धन की रूपांतरण प्रक्रिया को प्राप्त करने के लिए वोल्टेज सिग्नल में परिवर्तित होती हैं।

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850 एनएम सी पिन मॉड्यूल

यह पूर्व-प्रवर्धन सर्किट वाला 850nm Si पिन फोटोडायोड मॉड्यूल है जो कमजोर वर्तमान सिग्नल को प्रवर्धित करने और फोटॉन-फोटोइलेक्ट्रिक-सिग्नल प्रवर्धन की रूपांतरण प्रक्रिया को प्राप्त करने के लिए वोल्टेज सिग्नल में परिवर्तित करने में सक्षम बनाता है।

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900nm सी पिन फोटोडायोड

यह सी पिन फोटोडायोड है जो रिवर्स बायस के तहत काम करता है और यूवी से एनआईआर तक उच्च संवेदनशीलता प्रदान करता है।शिखर प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य 930nm है।

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1064nm सी पिन फोटोडायोड

यह सी पिन फोटोडायोड है जो रिवर्स बायस के तहत काम करता है और यूवी से एनआईआर तक उच्च संवेदनशीलता प्रदान करता है।शिखर प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य 980nm है।उत्तरदायित्व: 0.3A/W 1064 nm पर।

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फाइबर सी पिन मॉड्यूल

ऑप्टिकल फाइबर को इनपुट करके ऑप्टिकल सिग्नल को करंट सिग्नल में बदला जाता है।सी पिन मॉड्यूल पूर्व-प्रवर्धन सर्किट के साथ है जो कमजोर वर्तमान सिग्नल को प्रवर्धित करने और फोटॉन-फोटोइलेक्ट्रिक-सिग्नल प्रवर्धन की रूपांतरण प्रक्रिया को प्राप्त करने के लिए वोल्टेज सिग्नल में परिवर्तित करने में सक्षम बनाता है।

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चार-चतुर्थांश सी पिन

इसमें एसआई पिन फोटोडायोड की चार समान इकाइयां होती हैं जो रिवर्स के तहत काम करती हैं और यूवी से एनआईआर तक उच्च संवेदनशीलता प्रदान करती हैं।शिखर प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य 980nm है।उत्तरदायित्व: 0.5 A/W 1064 nm पर।

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चार-चतुर्थांश सी पिन मॉड्यूल

इसमें पूर्व-प्रवर्धन सर्किट के साथ Si पिन फोटोडायोड की एकल या दोगुनी चार समान इकाइयाँ होती हैं जो कमजोर करंट सिग्नल को प्रवर्धित करने में सक्षम बनाती हैं और फोटॉन-फोटोइलेक्ट्रिक-सिग्नल प्रवर्धन की रूपांतरण प्रक्रिया को प्राप्त करने के लिए वोल्टेज सिग्नल में परिवर्तित होती हैं।

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यूवी बढ़ाया सी पिन

यह बढ़ी हुई यूवी के साथ सी पिन फोटोडायोड है, जो रिवर्स के तहत काम करता है और यूवी से एनआईआर तक उच्च संवेदनशीलता प्रदान करता है।शिखर प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य 800nm है।उत्तरदायित्व: 0.15 ए/डब्ल्यू 340 एनएम पर।

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1064nm याग लेजर -15mJ-5

यह 1064nm वेवलेंथ, ≥15mJ पीक पावर, 1~5hz (एडजस्टेबल) पल्स रिपीटिशन रेट और ≤8mrad डाइवर्जेंस एंगल के साथ पैसिवली Q-स्विच्ड Nd: YAG लेजर है।इसके अलावा, यह एक छोटा और हल्का लेजर है और उच्च ऊर्जा उत्पादन प्राप्त करने में सक्षम है जो कुछ परिदृश्यों के लिए रेंजिंग दूरी का आदर्श प्रकाश स्रोत हो सकता है, जिसमें मात्रा और वजन के लिए कठोर आवश्यकताएं होती हैं, जैसे व्यक्तिगत मुकाबला और यूएवी कुछ परिदृश्यों में लागू होता है।

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1064nm YAG लेजर-15mJ-20

यह 1064nm वेवलेंथ, ≥15mJ पीक पावर और ≤8mrad डाइवर्जेंस एंगल के साथ निष्क्रिय रूप से Q-स्विच्ड एनडी: YAG लेजर है।इसके अलावा, यह एक छोटा और हल्का लेजर है जो लंबी दूरी की उच्च आवृत्ति (20Hz) में आदर्श प्रकाश स्रोत हो सकता है।

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