डिवाइस एक सिलिकॉन हिमस्खलन फोटोडायोड है, वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया दृश्यमान प्रकाश से लेकर निकट-अवरक्त तक होती है, शिखर प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य 980nm है, और 1064nm पर प्रतिक्रिया 36A / W तक पहुंच सकती है।
यह डिवाइस एक 1064nm वर्धित सिलिकॉन हिमस्खलन फोटोडायोड मॉड्यूल है जिसमें एक अंतर्निहित प्रीएम्प्लीफायर सर्किट है, जो कमजोर वर्तमान संकेतों को बढ़ा सकता है और उन्हें "ऑप्टिकल-इलेक्ट्रिकल-सिग्नल प्रवर्धन" की रूपांतरण प्रक्रिया को महसूस करते हुए वोल्टेज सिग्नल आउटपुट में परिवर्तित कर सकता है।
डिवाइस एक InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड मॉड्यूल है जिसमें एक अंतर्निहित प्रीएम्प्लीफायर सर्किट है, जो कमजोर लोगों को परिवर्तित कर सकता है।वर्तमान सिग्नल के प्रवर्धित होने के बाद, इसे "ऑप्टिकल-इलेक्ट्रिकल-सिग्नल प्रवर्धन" रूपांतरण प्रक्रिया का एहसास करने के लिए वोल्टेज सिग्नल आउटपुट में परिवर्तित किया जाता है।
डिवाइस चार समान इकाइयों के साथ एक सिलिकॉन हिमस्खलन फोटोडायोड है, वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया दृश्य प्रकाश से लेकर निकट-अवरक्त तक होती है, शिखर प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य 980nm है, और 1064nm पर प्रतिक्रिया 40A / W तक पहुंच सकती है।
डिवाइस एक सिलिकॉन हिमस्खलन फोटोडायोड मॉड्यूल है जिसमें चार समान इकाइयां हैं, एक अंतर्निहित प्रीएम्प्लीफायर सर्किट के साथ, जो कमजोर वर्तमान सिग्नल को बढ़ा सकता है और इसे "ऑप्टिकल-इलेक्ट्रिकल-सिग्नल एम्पलीफिकेशन" रूपांतरण प्रक्रिया को महसूस करते हुए वोल्टेज सिग्नल आउटपुट में परिवर्तित कर सकता है।
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