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InGaAS-APD मॉड्यूल श्रृंखला

InGaAS-APD मॉड्यूल श्रृंखला

मॉडल: GD6510Y / GD6511Y / GD6512Y

संक्षिप्त वर्णन:

डिवाइस एक InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड मॉड्यूल है जिसमें एक अंतर्निहित प्रीएम्प्लीफायर सर्किट है, जो कमजोर लोगों को परिवर्तित कर सकता है।वर्तमान सिग्नल के प्रवर्धित होने के बाद, इसे "ऑप्टिकल-इलेक्ट्रिकल-सिग्नल प्रवर्धन" रूपांतरण प्रक्रिया का एहसास करने के लिए वोल्टेज सिग्नल आउटपुट में परिवर्तित किया जाता है।


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46बीबीबी79बी
  • 374क78ग3

तकनीकी मापदण्ड

विशेषताएँ

आवेदन

उत्पाद टैग

फोटोइलेक्ट्रिक विशेषताओं (@ टा = 22 ± 3)

नमूना

GD6510Y

GD6511Y

GD6512Y

पैकेज फॉर्म

को-8

को-8

को-8

सहज सतह व्यास (मिमी)

0.2

0.5

0.08

वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया रेंज (एनएम)

1000 ~ 1700

1000 ~ 1700

1000 ~ 1700

ब्रेकडाउन वोल्टेज (वी)

30 ~ 70

30 ~ 70

30 ~ 70

उत्तरदायित्व एम = 10 एल = 1550 एनएम (केवी / डब्ल्यू)

340

340

340

उदय समय (एनएस)

5

10

2.3

बैंडविड्थ (मेगाहर्ट्ज)

70

35

150

समतुल्य शोर शक्ति (pW/√Hz)

0.15

0.21

0.11

वर्किंग वोल्टेज तापमान गुणांक टी = -40 ℃ ~ 85 ℃ (वी / ℃)

0.12

0.12

0.12

एकाग्रता (माइक्रोन)

≤50

≤50

≤50

दुनिया भर में समान प्रदर्शन के वैकल्पिक मॉडल

C3059-1550-R2A

/

C3059-1550-R08B

फ्रंट प्लेन चिप स्ट्रक्चर

त्वरित प्रतिक्रिया

उच्च डिटेक्टर संवेदनशीलता

लेजर लेकर

राडार

लेजर चेतावनी


  • पहले का:
  • अगला:

  • फ्रंट प्लेन चिप स्ट्रक्चर

    त्वरित प्रतिक्रिया

    उच्च डिटेक्टर संवेदनशीलता

    लेजर लेकर

    राडार

    लेजर चेतावनी