चार-चतुर्थांश पिन एकल ट्यूब श्रृंखला
| फोटोइलेक्ट्रिक विशेषताओं (＠Ta＝22±3℃) | |||||||||
| नमूना | GT111 | GT112 | GD3250Y | GD3249Y | GD3244Y | GD3245Y | GD32413Y | GD32414Y | GD32415Y |
| पैकेज फॉर्म | को-8 | को-8 | को-8 | टू-20 | कश्मीर-31-7 | कश्मीर-31-7 | एमबीसीवाई026-पी6 | को-8 | MBCY026-W7W |
| संवेदनशील सतह का आकार (मिमी) | Φ4 | Φ6 | Φ8 | Φ10 | Φ10 | Φ16 | Φ14 | Φ5.3 | Φ11.3 |
| वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया रेंज (एनएम) | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1100 | 400 ~ 1150 | 400 ~ 1150 |
| पीक प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य (एनएम) | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 |
| जवाबदेही λ=1064nm(A/W) | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.5 | 0.5 |
| डार्क करंट (nA) | 5(वीR=40V) | 7(वीR=40V) | 10(वीR=40V) | 15(वीR=40V) | 20(वीR=135V) | 50(वीR=135V) | 40(वीR=135V) | 4.8(वीR=140V) | ≤20 (वीR=180V) |
| उठने का समय = 1064 एनएम आरएल = 50Ω (एनएस) | 15(वीR=40V) | 20(वीR=40V) | 25(वीR=40V) | 30(वीR=40V) | 20(वीR=135V) | 30(वीR=135V) | 25(वीR=135V) | 15(वीR=140V) | 20(वीR=180V) |
| जंक्शन क्षमता f=1MHz(pF) | 5(वीR=10वी) | 7(वीR=10वी) | 10(वीR=10वी) | 15(वीR=10वी) | 10(वीR=135V) | 10(वीR=135V) | 16(वीR=135V) | 4.2 (वीR=140V) | 10(वीR=180V) |
| ब्रेकडाउन वोल्टेज (वी) | 100 | 100 | 100 | 100 | 300 | 300 | 300 | ≥300 | ≥250 |
कम गहरा करंट
उच्च जवाबदेही
अच्छा चतुर्भुज संगति
छोटा अंधा स्थान
लेजर लक्ष्य, मार्गदर्शन ट्रैकिंग और अन्वेषण उपकरण
लेजर माइक्रो-पोजिशनिंग, विस्थापन निगरानी और अन्य सटीक माप प्रणाली
कम गहरा करंट
उच्च जवाबदेही
अच्छा चतुर्भुज संगति
छोटा अंधा स्थान
लेजर लक्ष्य, मार्गदर्शन ट्रैकिंग और अन्वेषण उपकरण
लेजर माइक्रो-पोजिशनिंग, विस्थापन निगरानी और अन्य सटीक माप प्रणाली
