905nmAPD एकल ट्यूब श्रृंखला विशेष रुप से प्रदर्शित छवि

905 एनएमएपीडी एकल ट्यूब श्रृंखला

मॉडल: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2-P / GD5210Y-2-5-पी

संक्षिप्त वर्णन:

डिवाइस एक सिलिकॉन हिमस्खलन फोटोडायोड है, वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया दृश्य प्रकाश से लेकर निकट-अवरक्त तक होती है, और शिखर प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य 905nm है।

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तकनीकी मापदंड

विशेषताएं

आवेदन

उत्पाद टैग

फोटोइलेक्ट्रिक विशेषताओं (＠ टा = 22 ± 3℃)
आदर्श		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-पी	GD5210Y-2-5-पी	सरणी
पैकेज फॉर्म		टू-46	टू-46	टू-46	एलसीसी3	एलसीसी3	प्लास्टिक की पैकेजिंग	प्लास्टिक की पैकेजिंग	पीसीबी
सहज सतह व्यास (मिमी)		0.23	0.50	0.80	0.23	0.50	0.23	0.50	अनुकूलित
वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया रेंज (एनएम)		400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100	400 ~ 1100
पीक प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य (एनएम)		905	905	905	905	905	905	905	905
जवाबदेही λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
गहरा करंट M=100(nA)	प्रतीकात्मक	0.2	0.4	0.8	0.2	0.4	0.2	0.4	प्रकाश संवेदनशीलता के अनुसार
गहरा करंट M=100(nA)	ज्यादा से ज्यादा	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	एक तरफ
प्रतिक्रिया समय λ=905nm R1=50Ω(ns)		0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	सहज सतह के अनुसार
वर्किंग वोल्टेज तापमान गुणांक टी = -40 ℃ ~ 85 ℃ (वी / ℃)		0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9
कुल समाई एम=100 एफ=1मेगाहर्ट्ज(पीएफ)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	सहज सतह के अनुसार
वोल्टेज एकदम से नीचे आ जाना आईआर = 10μA (वी)	न्यूनतम	130	130	130	130	130	130	130	160
वोल्टेज एकदम से नीचे आ जाना आईआर = 10μA (वी)	ज्यादा से ज्यादा	220	220	220	220	220	220	220	200