905 एनएम एपीडी

आदर्श: GD5210Y-2-2-TO46/ GD5210Y-2-5-TO46/ GD5210Y-2-8-TO46/ GD5210Y-2-2-LCC3/ GD5210Y-2-5-LCC3/ GD5210Y-2-2-P/ GD5210Y-2-5-पी/ऐरे

संक्षिप्त वर्णन:

यह Si avalanche photodiode है जो UV से लेकर NIR तक उच्च संवेदनशीलता प्रदान करता है।शिखर प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य 905nm है।

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तकनीकी मापदंड

उत्पाद टैग

विशेषताएं

फ्रंटसाइड प्रबुद्ध फ्लैट चिप
उच्च गति प्रतिक्रिया
उच्च एपीडी लाभ
कम जंक्शन समाई
कम शोर
ऐरे आकार और सहज सतह को अनुकूलित किया जा सकता है।

अनुप्रयोग

लेजर लेकर
लेजर रडार
लेजर चेतावनी

फोटोइलेक्ट्रिक पैरामीटर（@Ta=22±3℃）

वस्तु #	पैकेज श्रेणी	सहज सतह का व्यास (मिमी)	वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया रेंज (एनएम)	पीक प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य (एनएम)	जवाबदेही λ=905nm φe=1μW एम = 100 (ए / डब्ल्यू)	प्रतिक्रिया समय λ=905nm R_L=50Ω (एनएस)	डार्क करेंट एम = 100 (एनए)		तापमान गुणांक ता = -40 ℃ ~ 85 ℃ (वी/℃)	कुल समाई एम = 100 एफ = 1 मेगाहर्ट्ज (पीएफ)	टूट - फूट वोल्टेज I_R= 10μए (वी)
वस्तु #	पैकेज श्रेणी	सहज सतह का व्यास (मिमी)	वर्णक्रमीय प्रतिक्रिया रेंज (एनएम)	पीक प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य (एनएम)	जवाबदेही λ=905nm φe=1μW एम = 100 (ए / डब्ल्यू)	प्रतिक्रिया समय λ=905nm R_L=50Ω (एनएस)	टाइप करें।	मैक्स।	तापमान गुणांक ता = -40 ℃ ~ 85 ℃ (वी/℃)	कुल समाई एम = 100 एफ = 1 मेगाहर्ट्ज (पीएफ)	मिनट	मैक्स
GD5210Y-2-2-TO46	टू-46	0.23	400 ~ 1100	905	55	0.6	0.2	1.0	0.9	1.0	130	220
GD5210Y-2-5-TO46	टू-46	0.50					0.4	1.0		1.2
GD5210Y-2-8-TO46	टू-46	0.80					0.8	2.0		2.0
GD5210Y-2-2-LCC3	एलसीसी3	0.23					0.2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-LCC3	एलसीसी3	0.50					0.4	1.0		1.2
GD5210Y-2-2-पी	प्लास्टिक पैकेज	0.23					0.2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-पी	प्लास्टिक पैकेज	0.50					0.4	1.0		1.2
सरणी	पीसीबी	स्वनिर्धारित				सहज सतह के अनुसार	सहज सतह के अनुसार			सहज सतह के अनुसार	160	200