850nmPIN मॉड्यूल श्रृंखला

आदर्श: GD4213Y / GD4251Y / GD4251Y-A / GD42121Y

संक्षिप्त वर्णन:

डिवाइस एक सिलिकॉन पिन फोटोडायोड मॉड्यूल है जिसमें एक अंतर्निहित प्रीएम्प्लीफायर सर्किट होता है, जो कमजोर वर्तमान सिग्नल को बढ़ा सकता है और इसे "ऑप्टिकल-इलेक्ट्रिकल-सिग्नल एम्पलीफिकेशन" की रूपांतरण प्रक्रिया को साकार करते हुए वोल्टेज सिग्नल आउटपुट में परिवर्तित कर सकता है।

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तकनीकी मापदण्ड

विशेषताएँ

आवेदन

उत्पाद टैग

फोटोइलेक्ट्रिक विशेषताओं (＠ टा = 22 ± 3℃)
नमूना		GD4213Y	GD4251Y	GD4251Y-ए	GD42121Y
पैकेज फॉर्म		को-8	को-8	को-8	को-8
संवेदनशील सतह का आकार (मिमी)		2	2	10×1.5	10×0.95
वर्किंग वोल्टेज (वी)		±5±0.3	±6±0.3	±6±0.3	±5±0.1
शोर वोल्टेज (एमवी)		12	40	40	25
जवाबदेही (एम/एवाई)	λ=850nm,φ=1μW	110	130	130	110
उदय समय (एनएस)	λ=850nm,φ=1μW	12	12	18	20
गतिशील रेंज (डीबी) λ=850nm		20	20	20	20
टिप्पणी		प्रकाश खिड़की एक वाहक टेप फिल्टर फिल्म (0 डिग्री घटना, 830nm ~ 910nm संप्रेषण ≥ 90%) के साथ चढ़ाया जाता है, GD4213Y का परीक्षण भार 50Ω है, और अन्य उत्पादों का परीक्षण भार 1MΩ है।