इसमें एसआई पिन फोटोडायोड की चार समान इकाइयां होती हैं जो रिवर्स के तहत काम करती हैं और यूवी से एनआईआर तक उच्च संवेदनशीलता प्रदान करती हैं।शिखर प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य 980nm है।उत्तरदायित्व: 0.5 A/W 1064 nm पर।
इसमें पूर्व-प्रवर्धन सर्किट के साथ Si पिन फोटोडायोड की एकल या दोगुनी चार समान इकाइयाँ होती हैं जो कमजोर करंट सिग्नल को प्रवर्धित करने में सक्षम बनाती हैं और फोटॉन-फोटोइलेक्ट्रिक-सिग्नल प्रवर्धन की रूपांतरण प्रक्रिया को प्राप्त करने के लिए वोल्टेज सिग्नल में परिवर्तित होती हैं।
यह बढ़ी हुई यूवी के साथ सी पिन फोटोडायोड है, जो रिवर्स के तहत काम करता है और यूवी से एनआईआर तक उच्च संवेदनशीलता प्रदान करता है।शिखर प्रतिक्रिया तरंग दैर्ध्य 800nm है।उत्तरदायित्व: 0.15 ए/डब्ल्यू 340 एनएम पर।
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